Processus ULtimes de l’épitaxie de SEmi-conducteurs
Liste des thèmatiques abordées :
- Modélisation et couplage entre théorie et expérience
- Intégration monolithique hétérogène et hétéroépitaxie sur silicium
- Organisation sur substrat fonctionnalisé et nanostructuré, croissance sélective et épitaxie latérale
- Caractérisations ultimes : locales, microscopiques et globales
- Nouvelles techniques instrumentales liées à l’épitaxie et nouveaux systèmes
- Propriétés (optiques, électroniques, etc.) des systèmes épitaxiés et applications
- Nouveaux matériaux semiconducteurs (oxydes, organiques) et nouveaux systèmes 2D
- Nanofils
