RÉUNION PLÉNIÈRE DU GDR PULSE 2019

Processus ULtimes de l’épitaxie de SEmi-conducteurs 

Liste des thèmatiques abordées : 

- Modélisation et couplage entre théorie et expérience 

- Intégration monolithique hétérogène et hétéroépitaxie sur silicium 

- Organisation sur substrat fonctionnalisé et nanostructuré, croissance sélective et épitaxie latérale

- Caractérisations ultimes : locales, microscopiques et globales 

- Nouvelles techniques instrumentales liées à l’épitaxie et nouveaux systèmes 

- Propriétés (optiques, électroniques, etc.) des systèmes épitaxiés et applications

- Nouveaux matériaux semiconducteurs (oxydes, organiques) et nouveaux systèmes 2D

- Nanofils

 

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Informations importantes

Soumission des résumés avant le 30/04/2019

Inscription gratuite avant le 31/05/2019

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